细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
一种电沉积硅的方法张士宪
一种电沉积硅的方法[发明专利]百度文库
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。2007年5月29日 本发明方法以熔盐电沉积出的硅作为渗硅的硅源，电沉积硅和硅在钼基体中扩散同时进行，具有梯度层厚度容易控制，工艺参数范围宽，易操作，材料表面结构致 Patent9专利在线
一种电沉积硅的方法张士宪
摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用 下，由SiO一步电沉积出硅的问题。 获取价格 一种电化学沉积制备膜电极的方法及其 国省代号： CN 摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域,提供了一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池该制备方法包括:对N型晶体硅片清洗和制绒;在硅片正 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池
一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
2020年8月25日 为实现上述目的，本发明提供了一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法，所述方法包括以下步骤： 步骤1、将原料按比例加入坩埚中，并加入掺杂 2014年10月5日 这种工艺的渗硅层经常存在气孔,有时甚至很严重,这是固体渗硅的致命弱点。 化学气相沉积法相物质与被渗基体发生化学反应,生成的活性渗源物质沉积在基体 电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网
晶体硅太阳电池的电化学沉积金属化技术研究进展
2023年12月19日 该技术可以在电池片的正反面进行快速的选择性沉积,提高栅极与衬底的结合力的同时也降低了电阻率,并且利用铜替代银,大大降低了太阳电池的成本。 本文总结了 2011年4月28日 摘要: 研究了Na3AlF6LiF 体系中硅沉积的电化学行为及影响因素, 并分别采用电解沉积和电解精炼方法获得 了单质硅 结果表明: Si(IV)的电化学还原过程分步进行, Na3AlF LiF 熔盐体系中硅的电沉积行为 物理化学学报
董志国等MD：西天山昭苏沉积碳酸锰矿床的成矿模
2022年9月30日 针对上述问题，中国科学院地质与地球物理研究所 矿产资源研究院重点实验室 的董志国博士研究生在导师 张连昌 研究员以及 王长乐 副研究员的指导下，以西天山石炭纪昭苏沉积碳酸锰矿床为例，通过开 在FLINAKNa2SiF6熔盐体系中,以Pt为参比电极,硅钢片为工作电极,石墨为辅助电极,在750℃下,用循环伏安法和计时电位法对Si4+的电化学反应机理和扩散系数进行了研究结 熔盐电沉积硅的基础研究 百度学术
一种在碳颗粒表面沉积纳米硅的方法、材料和应用
2024年2月9日 专利申请cn6公开了一种多级复合结构的硅基负极材料及其制备方法，该材料为粒径15～38μm颗粒，由表面向内部依次为表层碳、高孔隙填充碳和硅碳微囊。发明专利cn1公开了一种用于二次锂电池的纳米硅碳复合材料及其制备方法和2020年8月27日 1、一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法，其特 征在于，它包括以下步骤： 1)在顶层硅厚度为1020纳米，埋层氧化物的厚度3000～ 4000 的超薄SOI硅片的顶层硅上用低压化学气相沉积 生长一层厚度为90110纳米的致密光滑的非晶硅 (αSi)；2)再将另一硅片热氧化生长一层190210纳米的氧化硅；3 一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法专利检索
一种无定形碳硅碳纳米纤维石墨复合材料及其制备方法和应用
2023年12月19日 7根据权利要求1所述的一种无定形碳‑硅‑碳纳米纤维‑石墨复合材料的制备方法，其特征在于：所述 化学气相沉积无定形碳的条件为：以脂肪烃或芳烃为碳源，压力为负压或正压，温度为500～1100，时间为1～3小时。8一种无定形碳‑硅‑碳纳米 2007年5月29日 一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO 2 一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶45 ，加入占熔 CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents
一种高纯粒状硅的生产方法pdf原创力文档
2024年3月2日 N C CNA权利要求书1/1页 1一种高纯粒状硅的生产方法，其特征在于，所述方法包括： 在进料气中含硅气体进入流化床反应区，于650℃～1200℃的反应沉积温度下进行沉 积制备高纯粒状硅的过程中，包括： 至少一次调整反应沉积温度，以在流 2021年7月29日 摘要： 本发明公开了一种新型的高纯石英砂合成制备方法,采用高纯超细硅粉,尤其是光伏切片硅泥来制备高纯低成本石英砂光伏切片硅泥经过水洗,酸洗后和碱液反应生成硅溶胶,然后采用离子交换法对硅溶胶进一步提纯,接着对硅溶胶调节PH值,形成凝胶再经过 一种利用超细硅粉制备高纯石英砂的方法 百度学术
一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法[发明专利
2015年4月15日 2根据权利要求 1 所述的用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述工 字钢腿子 (8) 为两条。 3根据权利要求 1 所述的用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，前三级 缓冲室 (4，3，2) 和后三级缓冲室 (5，6，7) 之间均设置有水管 我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证，认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献，1~5即可下载全文，部分资源由于网络原因可能需要更长时间，请您耐心等待哦~一种一步电沉积制备金属硫化物/金属电催化剂的普适性方法
一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法
2016年9月26日 主权项： 1一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步，通过检测手段选择至少两种活性不同碳源，两种活性不同碳源指的是两种及以上的碳源或者具有两种不同活性的一个碳源，碳源包括纳米炭黑、石 2014年10月5日 北京科技大学理化系,北京河北理工学院冶金系,河北唐山)摘要:介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。固体粉末法要消耗大量的硅,且硅层存在气孔;气相沉积法由于涉及气体,其保护措施和密闭性的严格要求使其应用受到了严格的限。电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网
一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅PN结的方法与流程
2020年8月25日 为实现上述目的，本发明提供了一种高温熔盐电沉积制备单晶硅膜及硅pn结的方法，所述方法包括以下步骤： 步骤1、将原料按比例加入坩埚中，并加入掺杂剂，然后将所述坩埚放入高温电阻炉内，在惰性气氛下加热至400～600℃，保温12～24h除去所述原料中的水分后，在惰性气氛下加热至850℃，保温24 2020年9月11日 1 英文摘要 本发明涉及一种光电倍增管，具体涉及一种基于硅电子倍增器的混合型大面积光电倍增管，旨在解决现有光电倍增管响应时间较慢、制作装配流程复杂，加载电压过高致使高压器件负担增大，以及增大聚焦电极结构尺寸导致装配难度大等问题。 该 中国科学院机构知识库网格系统: 一种基于硅电子倍增器的
一种低共熔型离子液体中阳极溶解电沉积制备镍基双金属析氢
2022年8月12日 摘要： 本发明公开了一种低共熔型离子液体中阳极溶解电沉积制备镍基双金属析氢催化剂的方法,属于催化材料制备技术领域所述制备方法的步骤包括:(1)将镍盐前驱体加入到低共熔型离子液体中,加热搅拌,得到离子液体镍盐复合溶液体系;(2)以导电集流体为阴极,两块金属片为阳极,所述离子液体镍盐 2012年2月8日 CAS IR GRID以发展机构知识能力和知识管理能力为目标，快速实现对本机构知识资产的收集、长期保存、合理传播利用，积极建设对知识内容进行捕获、转化、传播、利用和审计的能力，逐步建设包括知识内容分析、关系分析和能力审计在内的知识服务能力，开展综合知识管理。一种利用电化学共沉积制备镍/钛硅铝碳复合涂层的方法
中国科学院机构知识库网格系统: 一种利用电泳沉积制备钛硅
2012年2月8日 本发明涉及可加工层状钛硅铝碳陶瓷领域,特别提供了一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳 (Ti3Si (Al)C2)陶瓷涂层的方法,解决现有技术中难以获得纯的钛硅碳 (Ti3SiC2)涂层等问题。 该方法以钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)粉末、水 (H2O)为原料制成悬浮液,悬浮液中钛硅铝碳 (Ti3SiAlC2)的 2024年1月23日 本发明不限于所公开的任何特定实施例。 技术特征： 1一种选择性沉积氮化硅的方法，该方法包括： 2根据权利要求1所述的方法，其中，所述材料包括氮化硅或硅。 3根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二材料包括金属氧化物、氧化硅或金属 选择性沉积氮化硅的方法及包括氮化硅层的结构与流程 X技术网
单质硅的制备方法 百度学术
摘要： 本发明公开了一种单质硅的制备方法:将SiO2溶于含有碱金属或碱土金属氧化物的氯化物熔盐中,或将碱金属或碱土金属的硅酸盐溶于氯化物熔盐中,所述氯化物熔盐的温度为6001000oC,以石墨或硅或金属为阴极,以石墨或惰性材料为阳极进行电解,使得在阴极发生硅酸根的电沉积,电沉积产物分离得到 2020年9月15日 本发明属于氮化硅(si3n4)纳米复合表面涂层制备技术领域，特别涉及一种si3n4纳米银复合电沉积涂层及其制备方法与应用。背景技术电镀铬涂层因光洁度好、硬度高、耐磨耐蚀性强等优势，国内许多重要工业领域仍大量应用。但电镀铬工艺引发的环境污染、危害健康等问题，已成为制约我国建设环境 一种氮化硅纳米银复合电沉积涂层及其制备方法与应用与流程
一种利用电沉积氢氧化钴纳米片制备成膜的方法 百度学术
2018年12月14日 摘要： 本发明属于分离膜的技术领域,公开了一种利用电沉积氢氧化钴纳米片制备成膜的方法方法:1)将导电基材进行预处理;2)通过电沉积方法在导电基材表面沉积氢氧化钴纳米片阵列;3)将表面沉积氢氧化钴纳米片阵列的导电基材置于溶液中,超声剥离,得到纳米片分散液;所述溶液为聚乙烯吡咯烷酮的水 2018年8月9日 1一种电沉积生产金属银的方法，其特征在于，利用带有阴离子交换膜的电解槽对含Ce(NO)的阳极区电解液和含AgNO的阴极区电解液进行电解，其中，阴极区的电解液和阳4+极区的电解液之间互不流通，电解完成后，在阴极得到金属银，阳极区得到含 一种电沉积生产金属银的方法专利查询 企查查
一种三维硅基电容器的制作方法 百度学术
一种三维硅基电容器的制作方法 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法,包括:利用成熟的深度反应离子刻蚀,淀积,键合等微电子加工工艺,通过对单层硅基电容芯片刻蚀,形成大的深宽比通孔,并淀积铜,制作金凸 2021年1月26日 一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺 技术领域 [0001] 本发明涉及硅太阳电池，更具体地涉及一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺。 背景技术： [0002] 晶体硅/非晶硅异质结(shj)太阳电池是性能最好的单结硅电池，光电转换效率 一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺的
一种电沉积硅薄膜的方法与流程
2022年4月13日 1本发明涉及新能源材料技术领域，特别是涉及一种电沉积硅薄膜的方法。背景技术： 2随着工业化进程的加快、化石矿物燃料的燃烧导致了不可再生能源短缺、温室效应、环境污染等日益严重。 太阳能由于具有绿色、安全、可持续、数量巨大等优点，越来越受到人们的关注，将来太阳能会替代部分 2014年3月13日 摘要： 本发明提供一种激光诱导热生长氧化硅的方法,所述方法包括:采用激光照射无定形硅制备氧化硅的步骤。 所述方法适用于晶圆背后感光技术制程。 所述晶圆背后感光技术制程包括:提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述器件晶圆表面上依次形成等离子沉积 一种激光诱导热生长氧化硅的方法 百度学术
一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法CNA
2021年12月31日 1一种电沉积制备FeCoNiCuSn高熵合金的方法，其特征在于，包括如下步骤： (1)电镀液的配制：首先按照摩尔比配制低共熔溶剂，然后恒温搅拌至透明，接着按照摩尔比分别称量可溶性铁源、可溶性钴源、可溶性镍源、可溶性铜源和可溶性锡源加入到上述低共熔溶剂中恒温搅拌得到低共熔溶剂，以此 2012年12月10日 CN 摘要： 本发明涉及一种从工业硅中去除杂质的方法本发明的从工业硅中去除杂质的方法,包括以下步骤:1)将硅块经粉碎研磨后,筛分得到100~200目的硅粉;2)将硅粉水洗净化,加入到盐酸和氢氟酸的混合溶液浸出;3)将处理后的硅粉加入到王水溶液中 一种从工业硅中去除杂质的方法 百度学术
一种硼掺杂纳米硅的制备方法 X技术网
2021年11月3日 5针对上述问题，本发明的目的是提供一种硼掺杂纳米硅的制备方法，解决了硼掺杂的纳米硅生产条件苛刻、难度大、成本高的问题。 6为了实现上述目的，本发明提供的一种硼掺杂纳米硅的制备方法，包括以下步骤： 7 (1)取氧化硅、镁粉和氧化硼混合，在 2013年1月22日 摘要： 本发明提供一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法,二氯二氢硅和三氯氢硅液体采用独立的汽化器和过热器,分别进行汽化和过热;过热后的三氯氢硅气体,二氯二氢硅气体及高纯氢气通过各自的流量控制单元分阶段以合适的流量进入静态混合器中混合,混合后的气体进入混合气体温度 一种用于多晶硅生产提高还原沉积反应效率的方法 百度学术
一种在柔性塑料基底表面电沉积多孔结构毛细芯的制备方法
一种在柔性塑料基底表面电沉积多孔结构毛细芯的制备方法 喜欢 0 阅读量： 17 申请(专利)号： 8 申请(专利权)人： 中山大学 发明人： 罗佳利，张梦涵，吕树申，莫冬传 展开 收藏 2007年4月18日 本发明公开了一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法,是采用电沉积一步成型直接把活性物质,导电剂,粘结剂沉积在基体上其制备方法,步:配制电沉积溶液;第二步:除去基体表面的氧化层;第三步:将经第二步处理后的基体浸入步已配制好的电沉积水溶液 一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法 百度学术
一种基于配位作用的阳极电沉积壳聚糖凝胶的制备方法
摘要： 本发明提供一种基于配位作用的阳极电沉积壳聚糖凝胶的制备方法一种基于配位作用的阳极电沉积壳聚糖凝胶的制备方法,其特征在于,利用电沉积过程中阳极导电金属材料发生电化学反应,产生能够形成配位作用的金属离子,再与壳聚糖发生配位作用,从而 2004年4月28日 本发明涉及一种采用电沉积方法一步成型在基体上制备氢氧化镍材料的方法。背景技术以镍的氧化物和氢氧化物作为电极材料，其制备方法有溶胶法、配位沉淀法、化学沉淀法、微波分解法、激光化学法等。这些方法大都是采用步先将镍制成以氢氧化镍为主体的前驱体；第二步再把前驱体制成 一种采用电沉积法制备氢氧化镍材料的方法 X技术网
一种氮化硅纳米银复合电沉积涂层及其制备方法与应用与流程
2020年9月15日 本发明属于氮化硅(si3n4)纳米复合表面涂层制备技术领域，特别涉及一种si3n4纳米银复合电沉积涂层及其制备方法与应用。背景技术电镀铬涂层因光洁度好、硬度高、耐磨耐蚀性强等优势，国内许多重要工业领域仍大量应用。但电镀铬工艺引发的环境污染、危害健康等问题，已成为制约我国建设环境 2021年9月8日 1本发明涉及硅芯的工艺技术领域，具体涉及一种方形硅芯的制备方法。背景技术： 2多晶硅因其原料来源广、生产效率高、生产规模大，已成为太阳能行业中的主导光伏材料。 目前市面上的多晶硅大多采用改良西门子法生产多晶硅。3在改良西门子法生产多晶硅过程中，硅芯是作为还原炉中进行 一种方形硅芯的制备方法与流程
一种简单的化学气相沉积法制备大尺寸单层二硫化钼
化学气相沉积法能够制备出高质量、大尺寸且性能优良的单层二硫化钼, 但其制备工艺比较复杂 本文采用简化的化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备出了大尺寸的单晶二硫化钼 清洗衬底时, 只需要简单的清洁, 不需要用丙酮、食人鱼溶液 (H2SO4/H2O2=3:1)等处理 2013年3月20日 本发明的目的在于克服干法蒸镀、溅镀以及湿法钯活化之不足，提供成本低廉，制备的金纳米颗粒与硅基底有较好的结合力，金纳米颗粒不受基底形状的限制均可均匀制备获得的一种硅表面湿法沉积金纳米颗粒的方法。 本发明包括以下步骤 1)将硅表面洁净处理 一种硅表面湿法沉积金纳米颗粒的方法 X技术网
一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺的
2021年1月26日 一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺 技术领域 [0001] 本发明涉及硅太阳电池，更具体地涉及一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺。 背景技术： [0002] 晶体硅/非晶硅异质结(shj)太阳电池是性能最好的单结硅电池，光电转换效率 2018年6月8日 为了实现上述发明目的，本发明实施例提供了一种深硅刻蚀方法，其包括刻蚀步骤和沉积步骤，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤交替循环直至刻蚀到预设深度，在所述沉积步骤中，通入沉积气体和由碳元素和氢元素组成的辅助气体进行沉积。 优选地，在每个 一种深硅刻蚀方法与流程
Na3AlF LiF 熔盐体系中硅的电沉积行为 物理化学学报
2011年4月28日 摘要: 研究了Na3AlF6LiF 体系中硅沉积的电化学行为及影响因素,并分别采用电解沉积和电解精炼方法获得了单质硅 结果表明: Si(IV) 的电化学还原过程分步进行, 在有单质硅存在的情况下, 还发生反应Si(IV)+Si= 2Si(II); 一般情况下Al 的析出电位比Si 要负, 但在 2023年11月25日 CN [0029]实施例2 [0030] 本发明还提供另一种硅片局部沉积非晶硅的方法，采用正背面都覆盖有非晶硅层 的透明载板作为靶材，将靶材置于待沉积非晶硅的硅片附近（靶材背面与硅片的间距为02 ～2mm），靶材背面的非晶硅层朝向硅片，使用激 一种硅片局部沉积非晶硅的方法 豆丁网
一种在碳颗粒表面沉积纳米硅的方法、材料和应用
2024年2月9日 专利申请cn6公开了一种多级复合结构的硅基负极材料及其制备方法，该材料为粒径15～38μm颗粒，由表面向内部依次为表层碳、高孔隙填充碳和硅碳微囊。发明专利cn1公开了一种用于二次锂电池的纳米硅碳复合材料及其制备方法和2020年8月27日 1、一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法，其特 征在于，它包括以下步骤： 1)在顶层硅厚度为1020纳米，埋层氧化物的厚度3000～ 4000 的超薄SOI硅片的顶层硅上用低压化学气相沉积 生长一层厚度为90110纳米的致密光滑的非晶硅 (αSi)；2)再将另一硅片热氧化生长一层190210纳米的氧化硅；3 一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法专利检索
一种无定形碳硅碳纳米纤维石墨复合材料及其制备方法和应用
2023年12月19日 7根据权利要求1所述的一种无定形碳‑硅‑碳纳米纤维‑石墨复合材料的制备方法，其特征在于：所述 化学气相沉积无定形碳的条件为：以脂肪烃或芳烃为碳源，压力为负压或正压，温度为500～1100，时间为1～3小时。8一种无定形碳‑硅‑碳纳米 2007年5月29日 一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO 2 一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶05～1∶1∶45 ，加入占熔 CNA 一种电沉积硅的方法 Google Patents
一种高纯粒状硅的生产方法pdf原创力文档
2024年3月2日 N C CNA权利要求书1/1页 1一种高纯粒状硅的生产方法，其特征在于，所述方法包括： 在进料气中含硅气体进入流化床反应区，于650℃～1200℃的反应沉积温度下进行沉 积制备高纯粒状硅的过程中，包括： 至少一次调整反应沉积温度，以在流 2021年7月29日 摘要： 本发明公开了一种新型的高纯石英砂合成制备方法,采用高纯超细硅粉,尤其是光伏切片硅泥来制备高纯低成本石英砂光伏切片硅泥经过水洗,酸洗后和碱液反应生成硅溶胶,然后采用离子交换法对硅溶胶进一步提纯,接着对硅溶胶调节PH值,形成凝胶再经过 一种利用超细硅粉制备高纯石英砂的方法 百度学术
一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法[发明专利
2015年4月15日 2根据权利要求 1 所述的用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述工 字钢腿子 (8) 为两条。 3根据权利要求 1 所述的用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备，其特征在于，前三级 缓冲室 (4，3，2) 和后三级缓冲室 (5，6，7) 之间均设置有水管 我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证，认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献，1~5即可下载全文，部分资源由于网络原因可能需要更长时间，请您耐心等待哦~一种一步电沉积制备金属硫化物/金属电催化剂的普适性方法
一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法
2016年9月26日 主权项： 1一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步，通过检测手段选择至少两种活性不同碳源，两种活性不同碳源指的是两种及以上的碳源或者具有两种不同活性的一个碳源，碳源包括纳米炭黑、石 2014年10月5日 北京科技大学理化系,北京河北理工学院冶金系,河北唐山)摘要:介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。固体粉末法要消耗大量的硅,且硅层存在气孔;气相沉积法由于涉及气体,其保护措施和密闭性的严格要求使其应用受到了严格的限。电沉积硅技术的历史和发展趋势 豆丁网
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